瑶芯微电子宣布发布全球首款碳化硅超级结MOSFET。据介绍，该产品由瑶芯微电子与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队合作，历时五年联合技术攻关，协同晶圆代工厂芯联集成进行工艺平台开发，率先实现该前沿技术从实验室走向产业化的突破。

据悉，该器件实现1635V超高耐压，室温和175°C高温下比导通电阻低至1.27 mΩ·cm²和1.5 mΩ·cm²；25°C到125°C导通电阻实现零温漂，175°C温度系数小于1.2倍，相较平面或沟槽技术1.8至2.2倍的温度系数取得了实质突破。